Omschrijving voor SAMSUNG SSD harde schijf 500 GB 850 Evo SATA III installatiekit (MZ-75E500RW)
Wat is V-NAND en wat is het verschil met bestaande geheugentechnologie?
Samsungs flashgeheugen wordt vervaardigd volgens een innovatieve 3D V-NAND-architectuur, waarbij de cellen in 32 lagen boven elkaar liggen. Het resultaat: een hogere dichtheid en betere prestaties bij een kleiner formaat. Er wordt korte metten gemaakt met de dichtheidslimieten van de conventionele vlakke NAND-architectuur.
Optimaliseer je computer met TurboWrite technologie
Met Samsungs TurboWrite krijg je ultieme lees/schrijfprestaties en wordt jouw computer razendsnel. De 850 EVO levert topprestaties in zijn klasse: sequentieel lezen 540 MB/s, schrijven 520 MB/s. Niet alleen presteert de SSD 10% beter dan de 840 EVO*, de 120/250 GB modellen** leveren ook tot 1,9x snellere random schrijfsnelheden.
* PCmark7 (250 GB ): 6700 (840 EVO) tegen 7600 (850 EVO)
**Random schrijven (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) tegen 88.000 IOPS (850 EVO)
Een versnelling hoger met de verbeterde RAPID-modus
Samsungs Magician software bevat de RAPID-modus voor 2x snellere dataverwerking*. Dit is mogelijk door de gegevens op computerniveau te verwerken, waarbij vrij (DRAM) geheugen van de PC als buffer wordt gebruikt. Met de nieuwste software neemt het maximale geheugengebruik van de RAPID-modus toe van 1 GB tot 4 GB voor de 850 EVO (wanneer het systeem 16 GB DRAM bevat). Ook worden de prestaties 2x hoger* voor alle willekeurige wachtrijdieptes.
* PCMARK7 RAW (250 GB): 7500 tegen 15000 (Rapid-modus)
3D V-NAND voor uithoudingsvermogen en betrouwbaarheid
Met Samsungs TurboWrite krijg je ultieme lees/schrijfprestaties en wordt jouw computer razendsnel. De 850 EVO staat voor een circa 13%* betere gebruikerservaring dan de 840 EVO, met onder meer een 2x zo hoge random schrijfsnelheid** sequentieel lezen 540 MB/s, schrijven 520 MB/s.
*PCmark7 (250 GB ): 6700 (840 EVO) tegen 7600 (850 EVO)
**Random schrijven (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) tegen 88.000 IOPS (850 EVO)
Overige kenmerken
• Doe langer met je laptopbatterij dankzij 3D V-NAND
Met de 850 EVO gaat de batterij van je laptop duidelijk langer mee. De voor 3D V-NAND geoptimaliseerde controller maakt nu Device Sleep mogelijk bij een ongekend stroomgebruik van slechts 2 mW. De 850 EVO gaat tijdens schrijfbewerkingen* 25% efficiënter om met energie dan de 840 EVO, doordat 3D V-NAND de helft minder stroom gebruikt dan Planar 2D NAND. *Stroomgebruik (250 GB): 3,2 watt (840 EVO) tegen 2.4 watt (850 EVO)
• Bescherm kostbare gegevens, behoud hoge prestaties
De 850 EVO omvat een 256-bits hardware-gebaseerde Full Disk AES-encryptie. Deze beveiligt je gegevens tegen ongewenste toegang zonder prestatieverlies. De SSD voldoet aan de TCG™ Opal v2.0 en is compatibel met het eDrive IEEE® 1667 protocol van Microsoft®.
• Bescherm je PC tegen oververhitting met Dynamic Thermal Guard
De Dynamic Thermal Guard functie van de 850 EVO bewaakt en handhaaft de optimale werktemperatuur van de SSD. Zo nodig verlaagt deze de temperatuur van het station om je gegevens te beschermen en de responsiviteit te waarborgen.
• Upgraden naar de 850 EVO is simpel en probleemloos
Om alle gegevens van je bestaande SSD of HDD naar de 850 EVO te migreren heb je maar één ding nodig: de Install Navigator software. Hiermee gaat dat heel gemakkelijk in drie eenvoudige stappen. Daarnaast bereik je maximale prestaties met behulp van de handige Magician beheersoftware van Samsung.
• Samsung SSD: alle componenten werken naadloos samen
Voor een optimaal resultaat! Samsung ontwikkelt alle SSD-componenten zelf voor betere prestaties en lager energiegebruik. Dit in tegenstelling tot andere fabrikanten. Bovendien heeft deze SSD dankzij de MEX controller met 3 cores tot 1 GB LPDDR2 DRAM cache-geheugen en verbeterde energie-efficiëntie.